Electronique de puissance & convertisseurs
“L’électronique de puissance ouvre la voie au futur réseau électrique mondial. Chez SuperGrid Institute, nous développons des technologies innovantes, fiables, efficaces et rentables pour donner vie à ce réseau électrique.”
Loïc Leclere, Directeur du département Electronique de puissance & convertisseurs
Le département Électronique de puissance et convertisseurs développe des solutions de conversion de puissance innovantes pour les applications HVDC et MVDC. Dans le domaine du HVDC, nous nous concentrons sur les solutions pour les réseaux de transmission d’électricité, notamment les convertisseurs AC/DC et DC/DC, les systèmes de stockage tampon de grande taille et les contrôleurs de flux de puissance. Dans le domaine du MVDC, nous étudions et développons des technologies pour les réseaux de distribution en mettant l’accent sur la protection, les convertisseurs DC/DC et les systèmes de stockage d’énergie.
Le département mène des recherches sur les topologies et les contrôles pour les convertisseurs de puissance et leurs technologies associées, comme les transformateurs à moyenne fréquence, les composants en carbure de silicium (SiC) et les cellules de commutation. D’autres sujets de recherche incluent la surveillance de l’état et de la santé ainsi que la modélisation jumelle numérique appliquée aux convertisseurs de puissance.
Des installations d’essai avancées nous permettent d’effectuer des essais de caractérisation complète sur des composants de puissance jusqu’à plusieurs kVolts et kAmps, ainsi que des essais de convertisseurs back-to-back combinés à un échangeur de chaleur de refroidissement à eau désionisée de 100 kW :
Nos projets de recherche incluent :
Publications récentes
Upgraded Control Strategies to Safeguard Resiliency in Hybrid AC-DC Networks: A Focused Overview of the State of the Art
An overview of advanced control strategies that improve stability and resilience in hybrid AC/DC networks with HVDC and multiterminal DC systems.
Al‐Acceptor Incomplete Ionization Effects on Static and Reverse Recovery Characteristics of 4H‐SiC PiN Power Diodes
This study investigates Al Acceptor Ionization in 4H-SiC PiN power diodes using calibrated TCAD simulations. The results show how Al Acceptor Ionization influences forward conduction, reverse recovery performance and temperature-dependent electrical characteristics.
Performance-limiting electron and hole traps in 4H-SiC PiN power diodes determined by combined DLTFS and TCAD studies
This paper investigates SiC PiN Power Diodes using DLTFS and TCAD simulations to identify performance-limiting electron and hole traps. The results highlight the impact of defect levels on conduction current, carrier trapping and diode performance.
