Appareillage électrique haute tension
“Le développement des technologies de sous-station répondant aux contraintes des futurs réseaux sous courant continu et dans le respect de l’environnement est au cœur des préoccupations du département de recherche Appareillage électrique haute tension.”
Marie-Hélène Luton, Directrice du département Appareillage électrique haute tension
Nous développons des technologies de sous-stations pour répondre aux contraintes des futurs réseaux en courant direct (DC) ainsi qu’à celles des réseaux en courant alternatif (AC) actuels. Cela inclut l’utilisation de disjoncteurs pour éliminer les courants de défaut des réseaux DC maillés, ainsi que le développement de nœuds d’interconnexion pour transférer l’énergie. Nos technologies de disjoncteurs et nos stratégies de protection sont conçues pour réduire le coût des infrastructures et préserver la stabilité et la disponibilité du réseau.
Les appareillages de commutation à isolation gazeuse sont essentiels aux réseaux mais ils sont actuellement très dépendants de l’hexafluorure de soufre gazeux (SF6) – en tête de liste des gaz à effet de serre – comme milieu isolant. Nous étudions, modélisons et optimisons des alternatives pour les appareillages de commutation isolés au gaz. En outre, nous recherchons et mettons en œuvre de nouveaux systèmes d’isolation solide et gazeuse afin d’améliorer les performances électriques et la résilience tout en maintenant un faible impact environnemental.
Pour valider les performances, nous nous appuyons sur les laboratoires d’essais diélectriques et de puissance de SuperGrid Institute. La plateforme de caractérisation nous permet de définir les propriétés des matériaux isolants.
Nos projets de recherche incluent :
Publications récentes
Upgraded Control Strategies to Safeguard Resiliency in Hybrid AC-DC Networks: A Focused Overview of the State of the Art
An overview of advanced control strategies that improve stability and resilience in hybrid AC/DC networks with HVDC and multiterminal DC systems.
Al‐Acceptor Incomplete Ionization Effects on Static and Reverse Recovery Characteristics of 4H‐SiC PiN Power Diodes
This study investigates Al Acceptor Ionization in 4H-SiC PiN power diodes using calibrated TCAD simulations. The results show how Al Acceptor Ionization influences forward conduction, reverse recovery performance and temperature-dependent electrical characteristics.
Performance-limiting electron and hole traps in 4H-SiC PiN power diodes determined by combined DLTFS and TCAD studies
This paper investigates SiC PiN Power Diodes using DLTFS and TCAD simulations to identify performance-limiting electron and hole traps. The results highlight the impact of defect levels on conduction current, carrier trapping and diode performance.
